当前，巨量转移技术分为以下几大流派，各有千秋。

1、 电磁力吸附转移技术

电磁力吸附转移技术是利用线圈电感产生电磁力的方式，将Micro-LED吸附及放下，进而实现巨量转移。

2、 静电吸附转移技术

静电吸附转移技术原理主要是利用静电力来控制内外电极电压差，实现对 Micro-LED的吸附和转移。

3、 流体装配转移技术

流体装配转移技术将芯片分装在流体内，通过控制流体的流动以及临时衬底上静电作用力的方式，实现 Micro- LED 的分散和排列，然后将 Micro-LED 芯片转印到封装衬底上

4、 弹性印模转移技术

弹性印模转移技术是利用聚二甲基硅氧烷材料作为转移膜材料，要让制备好的LED 器件能顺利地被弹性体材料吸附并脱离原基底，器件的断裂链发生断裂，所有的器件则按照原来的阵列排布，被转移到弹性体上面。

5、 激光剥离转移技术

激光剥离(LLO)转移技术直接将尚未剥离的LED芯片衬底转移放置于背板上。使用紫外激光器在蓝宝石晶圆的生长界面处照射，根据材料间不同的吸收系数，引起界面的热膨胀，界面处的GaN缓冲层分解成Ga和N2，实现芯片的分离和转移，做到平行转移，实现准确的光学阵列。

6、 滚轴转印转移技术

滚轴转印转移技术主要是利用带有计算机接口的滚轮系统，进行滚轴对滚轴方式，通过反馈模块可以准确控制接触Micro LED，反馈模块包含两个负载传感器和两个z轴执行器。此外，滚轮系统通过两个安装的显微镜保持准确对准，终将Micro LED 转印至接收衬底上，实现巨量转移。